RIISの研究者は、日本学術振興会の「優秀な研究者の流通を促進するための戦略的国際ネットワーク推進プログラム」の「高い臨界温度を有する超伝導材料の実現に向けた国際研究ネットワークの構築」（2015年10月1日～2018年3月31日）というプロジェクトの推進に重要な役割を果たしています。本プロジェクトでは、欧州の優れた研究グループ（ローマ・サピエンツァ大学のN.L.サイニ教授のグループ、同大学のJ.-M.トリコーネ教授のグループ）との国際共同研究により、バルクおよび界面のより高いT_c超電導体や、極限状態で機能する超電導体の開発に挑戦しました。Triscone教授のグループ、CEA/INACのG.Knebel博士のグループ、Eco-M.Kiat博士のグループ）との間で、若手研究者の交流を行っています。